نمونه‌کار های انجام شده

مهندسی کامپیوتر

انگلیسی به فارسی

متن اصلی:

Unlike SRAM technology, STT-MRAM cells are nonvolatile and their leakage power is negligible. In addition, their density is higher than that of SRAMs, and they are not vulnerable to radiation-induced soft errors. However, the high error rate of STT-MRAM cells should be addressed to make it applicable in on-chip caches. STT-MRAM caches are error-prone to three types of failures in write and read accesses as well as memory idle intervals as follows: 1)

متن ترجمه شده:

بر خلاف تکنولوژی SRAM، سلول‌های STT-MRAM غیر فرار هستند و توان نشت آنها ناچیز است. به علاوه، تراکم آنها از تراکم SRAMها بالاتر است، و آنها نسبت به خطاهای نرم نشات گرفته از تشعشات، آسیب پذیر نیستند. با این وجود، نرخ بالای خطای سلول‌های STT-MRAM باید به منظور قابل استفاده شدن در کش‌های (حافظه‌های پنهان) روی-چیپ، رفع گردد. کش‌های STT-MRAM در سه موردِ دستیابی برای نوشتن، خواندن و همچنین فواصل زمانی بیکار حافظه به صورت زیر مستعد خطاپذیر شدن می‌گردند: ۱)