ترنسیس | Transis Transis | ترنسیس

محسن کیانی

  • 1 سال پیش فعال بوده
  • 1 سال و 7 ماه در ترنسیس
این صفحه را به اشتراک بگذارید

محسن کیانی

  • 1 سال پیش فعال بوده
  • 1 سال و 7 ماه در ترنسیس
امتیاز کارفرمایان
10 از 10
توسط کارفرمایان
[ از 1 رأی ]
4 ترجمه موفق
0 ترجمه ناموفق

مترجم در مهندسی کامپیوتر

رشته مهندسی کامپیوتر، گرایش معماری

4 ترجمه موفق
0 ترجمه ناموفق

نمونه ترجمه های انجام شده

متن اصلی:

Unlike SRAM technology, STT-MRAM cells are nonvolatile and their leakage power is negligible. In addition, their density is higher than that of SRAMs, and they are not vulnerable to radiation-induced soft errors. However, the high error rate of STT-MRAM cells should be addressed to make it applicable in on-chip caches. STT-MRAM caches are error-prone to three types of failures in write and read accesses as well as memory idle intervals as follows: 1)

متن ترجمه شده:

برخلاف فناوری SRAM، سلولهای STT-MRAM غیرفرار بوده و توان نشتی آن‌ها ناچیز است. بعلاوه، تراکم آن‌ها نسبت به تراکم SRAM بالاتر است و همچنین در مقابل خطاهای نرم ناشی از تشعشع آسیب‌پذیر نیستند. با این وجود، لازم است مشکل بالا بودن خطا در سلول‌های STT-MRAM رفع شود تا استفاده از آن‌ها به عنوان حافظه نهان درون تراشه ای فراهم شود. حافظه های نهان مبتنی بر STT-MRAM در زمان دسترسی به حافظه از نوع خواندن و نوشتن و همچنین در بازه های بیکاری حافظه، در مقابل سه نوع خرابی بصورتی که در ادامه تشریح شده، در معرض خطا هستند.

رضایت کلی کارفرمایان

کاملا راضی 100%
راضی 0%
متوسط 0%
ناراضی 0%
کیفیت ترجمه
10 از 10
تحویل به موقع
10 از 10
رعایت اصول نگارشی
10 از 10
- بی نام
1398/03/25
  • تخصصی-مهندسی کامپیوتر
  • انگلیسی به فارسی
  • خوب
  • متن
کاملا راضی
کیفیت ترجمه
10 از 10
تحویل به موقع
10 از 10
رعایت اصول نگارشی
10 از 10
نتیجه‌ای یافت نشد.
با ما گفتگو کنید