سال نو مبارک. 10% تخفیف ویژه‌ی نوروزی، تا 13 فروردین
محسن کیانی

محسن کیانی [ کد 36472 ]

3 سال پیش فعال بوده | 4 سال و 11 ماه در ترنسیس
این صفحه را به اشتراک بگذارید

محسن کیانی [ کد 36472 ]

3 سال پیش فعال بوده | 4 سال و 11 ماه در ترنسیس
امتیاز کارفرمایان
10 از 10
توسط کارفرمایان [ از 1 رأی ]

مترجم در مهندسی کامپیوتر

رشته مهندسی کامپیوتر، گرایش معماری

سفارش اختصاصی(ابتدا وارد شوید)

مهارت‌های ترجمه متن

مهارت‌های ترجمه متن

  • مهندسی کامپیوتر

نمونه‌کار های انجام شده

  • مهندسی کامپیوتر
    انگلیسی به فارسی
    متن اصلی:

    Unlike SRAM technology, STT-MRAM cells are nonvolatile and their leakage power is negligible. In addition, their density is higher than that of SRAMs, and they are not vulnerable to radiation-induced soft errors. However, the high error rate of STT-MRAM cells should be addressed to make it applicable in on-chip caches. STT-MRAM caches are error-prone to three types of failures in write and read accesses as well as memory idle intervals as follows: 1)

    متن ترجمه شده:

    برخلاف فناوری SRAM، سلولهای STT-MRAM غیرفرار بوده و توان نشتی آن‌ها ناچیز است. بعلاوه، تراکم آن‌ها نسبت به تراکم SRAM بالاتر است و همچنین در مقابل خطاهای نرم ناشی از تشعشع آسیب‌پذیر نیستند. با این وجود، لازم است مشکل بالا بودن خطا در سلول‌های STT-MRAM رفع شود تا استفاده از آن‌ها به عنوان حافظه نهان درون تراشه ای فراهم شود. حافظه های نهان مبتنی بر STT-MRAM در زمان دسترسی به حافظه از نوع خواندن و نوشتن و همچنین در بازه های بیکاری حافظه، در مقابل سه نوع خرابی بصورتی که در ادامه تشریح شده، در معرض خطا هستند.

رضایت کلی کارفرمایان

کاملا راضی 100%
راضی 0%
متوسط 0%
ناراضی 0%
  • کیفیت ترجمه
    10 از 10
    تحویل به موقع
    10 از 10
    رعایت اصول نگارشی
    10 از 10
    - بی نام 1398/03/25
    عنوان سفارش:TA-LRW: A Replacement Policy for Error Rate Reduction in STT-MRAM Caches
    ترجمه متن | انگلیسی به فارسی | مهندسی کامپیوتر | دو ستاره

    کاملا راضی
    کیفیت ترجمه
    10 از 10
    تحویل به موقع
    10 از 10
    رعایت اصول نگارشی
    10 از 10